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会社案内・沿革

会社概要・沿革

会社概要

会社名 株式会社PARAM 
創立日 2010年4月8日
所在地
〒196-0033 東京都昭島市東町3-6-1東京都立産業技術研究センター
多摩テクノプラザ製品開発支援ラボ4
資本金 4450万円
代表取締役 安田 洋
業務 超高速電子ビーム描画技術・要素技術の開発・製造・コンサルタント
TEL:042-519-2541   FAX:042-519-2542  E-mail:info@param.co.jp
従業員数 6名

沿革

2010.04 埼玉県蓮田市に資本金1500万円で設立
2010.06 東京都昭島市東町3-6-1に移転
2011.01 SEM/EUV汎用オゾンクリーニング装置開発
2011.01 レニウムマウント電子銃発明
2011.10 PSB(プログラマブル整形ビーム)システムによる超高速露光装置発明
2012.03 コラムチャージアップフリー技術特許登録
2012.05 EIPBN2012にてマルチアクシスマルチビーム発表
2012.06 資本金2950万円に増資
2012.11 EB装置用永久磁石レンズ国内特許登録
2012.11 論文Multiaxis and multibeam technology for high throughput maskless E-beam lithographyがJ. Vac. Sci. Technol. B 30(6), Nov/Dec 2012に掲載
2013.06 真空用オゾン除害器(真空用オゾン分解器)開発
2014.04 PSB電子ビーム描画装置 米国特許登録 USP8,878,143B2
2014.12 永久磁石レンズ開発
2015.  01 半導体製造向け光学鏡筒の記事が日刊工業新聞に掲載
2015.03 レニウムSchottky電子銃 米国特許登録 USP9,070,527B2
2015.05 永久磁石レンズを用いたマルチコラム用レンズ特許出願 2016.12 国内特許登録
2015.05 EIPBN2015 にて永久磁石レンズ発表
2016.  03 Super LaB₆に関する現象の発見と開発
2017.  07 Super LaB₆の記事が日刊工業新聞に掲載
2017.  07 資本金4450万円に増資

 

主要取引銀行 西武信用金庫
三菱東京UFJ銀行
主要取引先 日本電子株式会社

 

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